“干”蚀刻用于电路定义步骤，而“湿”蚀刻主要用于清洁晶片；干法蚀刻是半导体制造中^常用的工艺之一，在开始蚀刻之前，在光刻期间用光致抗蚀剂或硬掩模（通常为氧化物或氮化物）涂覆晶片并暴露于电路图案。蚀刻仅从图案痕迹中去除材料。在芯片制造过程中，该图案化和蚀刻的顺序被重复多次。
  
  蚀刻工艺被称为导体蚀刻，电介质蚀刻或多晶硅蚀刻，以指示从晶片移除的膜的类型。例如，当氧化层被蚀刻以留下“氧化物隔离器”将器件彼此分开时，涉及电介质蚀刻；多晶硅蚀刻用于在晶体管中形成栅极；采用电介质蚀刻来蚀刻用于金属导电路径的通孔和沟槽；并且金属蚀刻去除铝，钨或铜层以在装置结构的逐渐升高的水平上显示电路图案。
  
  通过将电磁能通常为射频（RF）施加到含有化学反应性元素（例如氟或氯）的气体来执行等离子体蚀刻。等离子体释放轰击晶片的正电荷离子，以去除（蚀刻）材料和与蚀刻材料反应形成挥发性或非挥发性副产物的化学反应性自由基。离子的电荷将它们垂直指向晶片。这产生了几乎垂直的蚀刻轮廓，这对于当今密集封装芯片设计中的微小特征是必不可少的。